Ugljične nanocijevi ultra{0}}visoke čistoće

1. Osnovne informacije o proizvodu

Naziv proizvoda:Ugljične nanocijevi ultra-visoke čistoće (UHP-CNT)
Kategorija proizvoda:Visoki stupnjevi -čistoće više{1}}stjenki (MWCNT) / jedno-stjenke (SWCNT) CNT
Stupanj čistoće: Industrial Ultra-High Purity (>99,9% čistoće ugljika)
Izgled:Puder dubokog crnog do metalnog sjaja, izvrsne tečnosti
Strukturni integritet:Visoko savršenstvo grafitne rešetke s minimalnim strukturnim defektima
Poseban atribut:Bez ostataka katalizatora-, s kontroliranim površinskim funkcionalnim skupinama

2. Osnovni parametri izvedbe

Čistoća ugljika:Veći ili jednak 99,9 wt% (putem kombiniranog visoko-temperaturnog pročišćavanja i obrade kiselinom)

Sadržaj metalnih nečistoća: <100 ppm (Fe, Co, Ni catalyst residues)

Sadržaj pepela: <0.05 wt% (measured at 950°C in air)

Stupanj grafitizacije:Omjer ID/IG<0.05 (Raman spectroscopy)

Specifična površina (SSA):250-400 m²/g (MWCNT); 600-1000 m²/g (SWCNT)

Nasipna gustoća:0,08-0,15 g/cm³ (gustoća se može prilagoditi)

Ujednačenost promjera:Distribucija promjera CV<15%

3. Električna svojstva

Volumni otpor:

Intrinzično:10⁻⁴ - 10⁻³ Ω·cm (metalni SWCNT)

Makroskopski prah:0.05 - 0.5 Ω·cm (zbijeno, pod utjecajem kontaktnog otpora)

U kompozitnoj izvedbi:

Pri 0,5 wt% opterećenja: 10² - 10⁴ Ω·cm (polimerna matrica)

Pri 2,0 wt% opterećenja: 10⁻¹ - 10¹ Ω·cm (postignuta perkolacija)

Ključna prednost:Ultra{0}}visoka čistoća osigurava minimalno raspršenje nositelja od nečistoća, omogućavajući vodljivost blizu teoretskih granica.

Površinski otpor:

Thin Films/Coatings: 50 - 500 Ω/sq (at >85% propusnost vidljive svjetlosti)

Vodljive paste: 10² - 10³ Ω/sq (za tiskanu elektroniku)

Značajka izvedbe:Smanjena gustoća površinskog stanja i manji kontaktni otpor zbog poboljšane čistoće značajno poboljšavaju vodljivost površine.

4. Karakteristike disperzije

Izazovi i rješenja disperzije:

Te-tehnologije prethodne obrade:

Površinska aktivacija plazme

Superkritična disperzija potpomognuta CO₂-

Kuglično mljevenje-na niskoj temperaturi za de-aglomeraciju

Kompatibilnost disperzijskog sustava:

Vodeni sustavi: Stable dispersion >30 dana bez surfaktanata

Organski sustavi:Koncentracija disperzije do 5 mg/mL u NMP, DMF, THF

Taline polimera:Poboljšanje učinkovitosti disperzije od 40% putem ekstruzije pužom

Mogućnosti funkcionalizacije:

Blagi oksidacijski tretman (sadržaj karboksilnih skupina može se kontrolirati na 0,5-2,0 at%)

Modifikacija aminacije (-NH₂ gustoća: 1-3 skupine/nm²)

Cijepljenje sredstva za spajanje silanom (poboljšava povezivanje sučelja s anorganskim matricama)

5. Fizička svojstva

Strukturna svojstva:

Grafitni međuslojni razmak: 0,34 ± 0,01 nm (visoka kristalnost)

Average wall number: 3-8 layers (MWCNTs); single-wall integrity >95% (SWCNT)

Gustoća defekta:<10¹⁰ cm⁻² (TEM statistics)

Toplinska svojstva:

Toplinska vodljivost: Aksijalno 3000-3500 W/(m·K); Radijalno 15-25 W/(m·K)

Koeficijent toplinske ekspanzije (CTE): Aksijalno -1,5×10⁻⁶ K⁻¹; Radijalno 15×10⁻⁶ K⁻¹

Oxidation onset temperature: 650-700°C in air; stable >1800 stupnjeva u inertnoj atmosferi

Mehanička svojstva:

Tensile strength: >100 GPa (SWCNTs); >50 GPa (MWCNT)

Modul elastičnosti: 1,0-1,2 TPa

Fatigue resistance: >10⁹ ciklusa savijanja (pri polumjeru zakrivljenosti od 5 μm)

6. Prijave i ciljne industrije

Vrhunska-elektronika:

Kvantni uređaji međusobno povezuju

Materijal kanala visoko{0}}frekventnog tranzistora (fT > 100 GHz)

Dodatna faza za supravodljive kompozite

Proizvodnja preciznih instrumenata:

Vrhovi sonde za mikroskopiju atomske sile (AFM).

Elektrode za skenirajuću tunelsku mikroskopiju (STM).

Visoko{0}}precizni senzorski mjerači naprezanja

Granične energetske primjene:

3D vodljiva mrežna konstrukcija za polu{1}}baterije

Vodljive prevlake za bipolarne ploče gorivih ćelija

Materijali sučelja za uređaje za termoelektričnu pretvorbu

Biomedicinski uređaji:

Medicinske elektrode koje se mogu ugraditi

Mikronizovi za snimanje neuronskih signala

Visoko biokompatibilne skele tkivnog inženjeringa

Kritične komponente za zrakoplovstvo:

Satelitski vodljivi premazi za kontrolu topline

Kompoziti za elektromagnetsku zaštitu svemirskih letjelica

Faza ojačanja za lagane,-strukturne dijelove velike čvrstoće

7. Princip i tehnološki putovi pročišćavanja

Više{0}}fazni proces pročišćavanja:

Parna{0}}faza pročišćavanja:

Parom-potpomognuta katalitička oksidacija (selektivno uklanjanje amorfnog ugljika)

Obrada klorom-na visokoj temperaturi (formira hlapljive metalne kloride)

Redukcija vodika za zacjeljivanje defekta

Faza pročišćavanja tekuće-faze:

Centrifugiranje s gradijentom gustoće (na temelju razlika u gustoći)

Elektroforetsko odvajanje (na temelju razlika u površinskom naboju)

Kromatografija isključenja veličine (na temelju hidrodinamičkog radijusa)

Tehnologije fizičkog odvajanja:

Odvajanje polja ultracentrifugiranja (200 000 g, kiralno odvajanje)

Dielektroforetsko odvajanje (razlike u dielektričnom odgovoru izmjeničnog polja)

Frakcioniranje-toka polja (sinergija protoka i okomitih polja)

Tehnike karakterizacije čistoće:

Temperaturno-programirana oksidacija (TPO) za kvantifikaciju amorfnog ugljika

Masena spektrometrija induktivno spregnute plazme (ICP-MS) za detekciju tragova metala

Spektroskopija gubitka energije elektrona (EELS) za lokalnu analizu kemijskog sastava

8. Sustav kontrole kvalitete

Kontrola sljedivosti sirovina:

Čistoća prekursora metalnog katalizatora: 99,999% (razred 5N)

Čistoća plina izvora ugljika: 99,9999% (razred 6N)

Materijal reaktora: obloga od kvarca ili safira-visoke čistoće

U-nadzoru procesa:

Online laser{0}}inducirana probojna spektroskopija (LIBS) za-praćenje sadržaja metala u stvarnom vremenu

In-Ramanova spektroskopija na licu mjesta za praćenje stupnja grafitizacije

Masena spektrometrija za-detekciju sastava ispušnih plinova u stvarnom vremenu

Protokol testiranja gotovog proizvoda:

Testiranje dosljednosti serije:Statistička kontrola procesa na 10 slučajnih uzoraka po seriji

Provjera vrhunske čistoće:Analiza neutronske aktivacije (NAA) za otkrivanje nečistoća na razini ppb-

Procjena strukturalnog integriteta:TEM visoke-razlučivosti u kombinaciji s dubokom analizom slike

Certifikati i usklađenost sa standardima:

U skladu sa standardima SEMI (Institut za poluvodičku opremu i materijale).

Zadovoljava ASTM E2857-11 vodič za karakterizaciju nanomaterijala

Certificiran prema ISO/TS 80004-13 terminologiji nanotehnologije

9. Reprezentativni podaci ispitivanja

Provjera električnih performansi:

Po-pokretljivost s efektom polja: SWCNT tanki film, 150 000 cm²/(V·s) (sobna temperatura)

Current-carrying capacity: Single MWCNT, >2×10⁹ A/cm² (vakuumsko okruženje)

Kontaktni otpor: Au elektroda-CNT kontakt,<1 kΩ·μm

Mjerenja toplinske izvedbe:

Mjerenje toplinske vodljivosti: Metoda visećeg mikro-mosta, jedan SWCNT, 3500±150 W/(m·K)

Toplinska stabilnost: TGA-DSC kombinirano, 0,5% gubitak težine temperatura: 698 stupnjeva (zrak)

Izvedba kompozitnog materijala:

Epoksidna smola / 0,3 wt% UHP-CNT:

Volumni otpor: 4,2×10³ Ω·cm

Toplinska vodljivost: 1,85 W/(m·K) (450% povećanje)

Temperatura staklenog prijelaza (Tg): Povećana za 28 stupnjeva

10. Specifikacije pakiranja i skladištenja

Sustav čistog pakiranja:

Primarno pakiranje:Više{0}}slojna kompozitna aluminijska vrećica (vanjski PET / srednja Al folija / unutarnji PE)

Sekundarni spremnik:Vakuumski{0}}zatvoreni kanister od nehrđajućeg čelika (mogućnost vakuuma do 10⁻⁶ Pa)

Tercijarna zaštita:Anti{0}}statički, udar-otporni sanduk (sukladan s MIL-STD-810G)

Posebne konfiguracije pakiranja:

Zaštita od inertnog plina:Ispunjen-argonom, sadržaj O₂<1 ppm, H₂O content <0.1 ppm

Dizajn -zaštite od svjetlosti:Materijal pakiranja -jantarne boje, UV propusnost<0.1%

Indikacija vlažnosti:Ugrađen-elektronički senzor vlage s bilježenjem podataka

Specifikacije i označavanje:

Standardne veličine:1g, 5g, 10g (R&D stupanj); 50g, 100g, 500g (razred proizvodnje)

Označavanje informacija:Sustav sljedivosti QR koda uključujući broj serije, certifikat čistoće, uvjete skladištenja

Posebne oznake:Oznaka provjere radioaktivnosti (osigurava da nema slučajne kontaminacije)

Skladištenje i transport:

Dugo{0}}pohrana:-20 stupnjeva pod vakuumom, rok trajanja 5 godina

Preporuka za korištenje:Rukovati u pretincu za rukavice nakon otvaranja (H₂O/O₂<0.1 ppm)

Uvjeti prijevoza:Prijevoz hladnog{0}}lanca (2-8 stupnjeva ) s praćenjem temperature u stvarnom vremenu

11. Tehničke mogućnosti tvrtke

Platforma za istraživanje i razvoj:

Ultra{0}}čisti laboratorij:Čista soba klase 100, površine 2000 m²

Centar za analitička ispitivanja:Opremljen TEM-ispravljenim aberacijama, μ-XRF, TOF-SIMS

Pilot{0}}platforma:Potpuno automatizirana kontinuirana linija za pročišćavanje

Portfelj patenata i tehnologije:

Osnovni patenti: 32 (uključujući 18 PCT patenata)

Vlasnički know{0}}how: 15 kompleta specijaliziranih formulacija za pročišćavanje za različite primjene

Kapacitet proizvodnje:

Prilagođena oprema:Su-razvio specijalizirane reaktore za pročišćavanje s proizvođačima opreme

Razina automatizacije: Fully automated process control, product consistency >98%

Sustav osiguranja kvalitete:

Sljedivost kvalitete:Potpuna digitalna sljedivost od sirovina do gotovog proizvoda

Međunarodni certifikati:ISO 9001:2015, ISO 14001, ISO 45001

Mogućnost tehničke službe:

Tim za razvoj aplikacije:60% doktorat znanosti nositelji, prosječno 10 godina iskustva u industriji

Korisnička podrška:Pruža kompletan paket usluga: provjeru čistoće, testiranje aplikacija, optimizaciju procesa

Zajedničko istraživanje i razvoj:Su-s klijentima uspostavite laboratorije za primjenu za prilagođeni razvoj rješenja

Popularni tagovi: ultra-ugljikove nanocijevi visoke čistoće, Kina ultra-ugljikove nanocijevi visoke čistoće proizvođači, dobavljači, tvornica, Ugljikovu nanocjevčicu, jednodušne nanocjevčice od jednog zida, Jednokratni cnts, Swcnt, SWNT nanocjevčice, Ultra visoke čistoće s jednim zidnim ugljičnim nanocjevčicama