TF1010 prah ugljične nanocijevi s jednom stijenkom

TF1010 is an electronic-grade ultra-high-purity single-walled carbon nanotube powder prepared by Shandong Tanfeng using super-growth CVD coupled with multi-stage high-temperature deep purification and targeted catalytic impurity removal processes. It is the highest-purity model in the entire single-walled product line, forming a clear gradient distinction from the TF1000 basic single-walled type. The tube diameter is precisely controlled within a narrow distribution range of 1.5–1.7 nm, the pristine carbon tube length is >100 μm, the Raman G/D ratio is >50, a defekti amorfnog ugljika na stijenci cijevi izuzetno su niski. Glavni diferencirani pokazatelj: efektivna čistoća karbonskih cijevi s jednom stijenkom je veća ili jednaka 98,5%, znatno viša od TF1000 čistoće od 80%. Metalni pepeo je kontroliran gradijentom do razine od stotinu ppm, zaostale nečistoće katalizatora su uvelike smanjene, u osnovi izbjegavajući curenje poluvodičkih uređaja, bočne reakcije baterije i probleme s pomicanjem signala.

Bešavna cjevasta struktura jednoslojnog grafena kombinira balističku provodljivost elektrona, ultra-visoku elastičnost i ultra-veliku specifičnu površinu (500-1000 m²/g). Količina dodatka perkolacije može biti niska od 0,03% da bi se formirala vodljiva mreža pune domene, prikladna za tranzistore tankog filma naprednog procesa od 7 nm i manje, fleksibilne logičke sklopove, silicij-ugljične anode visoke čistoće, vojnu i zrakoplovnu laganu zaštitu, biosenziranje tragova ultra visoke osjetljivosti i druge stroge scenarije visoke preciznosti.

Tvornica je opremljena kompletnom opremom za ispitivanje materijala visoke čistoće, uključujući TEM visoke rezolucije, Ramanovu spektroskopiju, TGA termogravimetriju i ICP-OES. Svaka se serija izdaje s punim skupom posebnih izvješća o ispitivanju sadržaja jednostrukih stijenki, metalnih nečistoća, promjera cijevi i duljine. Samo uzorci visoke čistoće na razini grama i pilot serije na razini kilograma dostavljaju se istraživačkim institutima, tvrtkama poluvodiča i vodećim proizvođačima poluvodičkih baterija. Modificirani prašci visoke čistoće s amino i karboksilnim skupinama mogu se prilagoditi za prilagodbu disperziji voda/organsko otapalo. Cjeloviti set RoHS, REACH, ICP posebnih izvješća o nečistoćama visoke čistoće i MSDS sigurnosnih listova su potpuni, ispunjavajući stroge revizijske standarde za prijem materijala za vojni uvoz i izvoz poluvodiča.

Pakiranje: vakuumske vrećice od aluminijske folije, PE kompozitne vrećice, tonske vrećice, prilagodljive

U 2022. tvrtka je uložila 50 milijuna RMB u osnivanje "Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd." u Hezeu, provincija Shandong, s građevinskom površinom od 4000 četvornih metara. Sada je to nacionalno visokotehnološko poduzeće s više od deset neovisnih patenata.

Druga faza proizvodnog i istraživačko-razvojnog centra planirana je za izgradnju 2027. Tvrtka je prošla međunarodnu certifikaciju sustava kvalitete ISO9001 i formirala napredni centar za proizvodnju nanomaterijala i tehnički servis koji pokriva cijeli proces rada, istraživanja i razvoja, pilot proizvodnje i proizvodnje. Trenutno posjeduje kompletne proizvodne linije za prah ugljikovih nanocijevi, kašu od ugljikovih nanocijevi, masterbatch ugljikovih nanocijevi, vlakna od ugljikovih nanocijevi i film od ugljikovih nanocijevi.

Imamo profesionalno testiranje i certifikaciju. Za ugljikove nanocijevi u stvarnom nanorazmjeru, Tanfeng tehnologija pruža karakterizacijske podatke za različite modele, kao što su SEM slike, AFM slike, HRTEM slike, Ramanova spektroskopija i uzorci difrakcije rendgenskih zraka na prahu.

Čistoća s jednom stijenkom Veća ili jednaka 98,5%, iznimno nizak sadržaj nečistoća i raznih cijevi, prilagođavanje zahtjevima omjera uključivanja/isključivanja poluvodičkih uređaja

U usporedbi s jednoslojnom čistoćom TF1000 od samo 80%, TF1010 uklanja višeslojne karbonske cijevi i čestice amorfnog ugljika kroz višestupanjsko pročišćavanje, pri čemu nečistoće raznih faza čine manje od 1,5%. Kada se koristi u tankoslojnim tranzistorima s efektom polja, omjer uključivanja/isključivanja uređaja povećava se za više od 10 puta, bez curenja ili izobličenja signala uzrokovanih raznim metalnim cijevima, prilagođavajući se istraživanju i razvoju 7 nm i niže naprednih integriranih krugova temeljenih na ugljiku.

Dostupna su tri stupnja pepela s ultra-niskim sadržajem metala, potpuno rješavajući problem kvara migracije metalnih iona u tragovima

Pruža tri specifikacije pepela:<100 ppm / <500 ppm / <2000 ppm. Military and semiconductor chips can choose the ultra-pure grade within 100 ppm. Eliminates catalyst metal residue precipitating during device energization, avoiding wafer short circuits, continuous solid-state battery side reactions, and sensor baseline drift.

1.5–1.7 nm narrow tube diameter distribution + >100 μm ultra-dugačke netaknute cijevi, izuzetno nisko punjenje bez blokiranja prijenosa svjetlosti

Ultra-visoki omjer širine i visine od deset tisuća razina, provodljiva dodatna količina od samo 0,03%, doza punila smanjena za dodatnih 30% u usporedbi s TF1000 za isti vodljivi učinak. Promjer cijevi daleko je manji od valne duljine vidljive svjetlosti, pripremajući prozirne vodljive filmove bez zamućenja i visoke propusnosti, prilagođavajući se masovnoj proizvodnji sklopivih zaslona i fotonaponskih prozirnih elektroda.

Ultra-high crystallinity G/D >50, izuzetno malo strukturnih defekata stijenke cijevi, maksimizirana stabilnost elektrokemijskog ciklusa

Stjenke grafenskih cijevi s malim oštećenjima smanjuju nuspojave sučelja elektrolita. Kada se koriste u silicij-ugljičnim anodama i baterijama čvrstog stanja, mogu uvelike suzbiti kontinuirano SEI zadebljanje filma, s životnim vijekom staničnog ciklusa poboljšanim za više od 35% u usporedbi s osnovnim jednoslojnim TF1000, prilagođavajući se dugotrajnim baterijama za napajanje vrhunskih putničkih vozila.

Može usmjereno odvajati poluvodičke ugljične cijevi s jednom stijenkom, supstrat jezgre za fleksibilne čipove male snage

Netaknute sirovine s jednom stijenkom visoke čistoće olakšavaju naknadno odvajanje centrifugiranjem u gradijentu gustoće, proizvodeći visok udio poluvodičkih ugljikovih nanocijevi s jednom stijenkom s visokom mobilnošću nosača i iznimno niskom potrošnjom energije uređaja, što ih čini osnovnim sirovinama za sljedeću generaciju fleksibilnih logičkih sklopova male snage i mikro senzorskih čipova.

Ultra-velika specifična površina 500-1000 m²/g, ultra-visoka osjetljivost hvatanja tragova molekula

Ogromna elektrokemijska aktivna mjesta, s sposobnošću adsorpcije i prepoznavanja plinova, bioloških proteina i molekula teških metala u tragovima daleko premašuju TF1000, prilagođavajući se medicinskim dijagnostičkim biosenzorima i sondama za precizno otkrivanje tragova zagađivača u okolišu.

Sustav visoke čistoće koji je potpuno usklađen s vojnim i zrakoplovnim standardima, lagano vodljivo i toplinski vodljivo integrirano strukturno ojačanje

Formulacije s niskim sadržajem nečistoća, bez taloženja zadovoljavaju standarde prihvatljivosti za zrakoplovne i vojne elektroničke komponente. Ekstremno nisko punjenje može postići trostruki učinak trajne vodljivosti, elektromagnetske zaštite i strukturalnog pojačanja, čime se uvelike smanjuje vlastita težina komponenti satelita i zrakoplova.

1. Poluvodiči na bazi ugljika naprednog procesa, tranzistori s efektom polja s tankim filmom

Procesni integrirani krugovi od 7 nm i niži, fleksibilni logički čipovi, mikro senzorski krugovi male snage; ultravisoka jednoslojna čistoća osigurava visok omjer uključivanja/isključivanja tranzistora i nisko curenje, zamjenjujući tradicionalne materijale na bazi silicija za istraživanje i razvoj mikro-nano elektronike nakon Mooreove ere.

2. Lagani vodljivi zaštitni kompozitni materijali ultravisoke čistoće za vojnu/zrakoplovnu industriju

Satelitska lagana elektromagnetska zaštitna kućišta, letjelice za raspršivanje topline i vodljive integrirane ploče, elektrode vojnih uređaja za pohranu energije; niska količina metalnih nečistoća zadovoljava dugoročne standarde stabilnog rada vojnih komponenti u orbiti.

3. Vrhunske silicij-ugljične anode, sulfidne krute baterije

Vodljivi dodaci namijenjeni silicij-ugljičnim anodama za vrhunsku potrošačku elektroniku i baterije dugog dometa za putnička vozila; ultra-niske nečistoće suzbijaju samopražnjenje ćelije, ultra-duge karbonske cijevi prigušuju širenje volumena čestica silicija, uvelike produžujući životni ciklus.

4. Fleksibilni prozirni vodljivi filmovi visoke propusnosti, sklopivi OLED zasloni

Zamjena oskudnog ITO indij kositrenog oksida, pripremanje vodljivih filmova visoke propusnosti bez zamagljenja, prilagođavanje sklopivim zaslonima osjetljivim na dodir, nosivim medicinskim EKG elektrodama i prozirnim kolektorima struje fotonaponskih ćelija, s prigušenjem otpora ispod 3% nakon tisuću savijanja.

5. Ultra-visoko precizni biološki i ekološki senzori tragova

Medicinski senzori za otkrivanje proteina, otkrivanje atmosferskih tragova toksičnih plinova, sonde za praćenje teških metala u tragovima vode; ultra-velika specifična površina omogućuje prepoznavanje tragova molekula na razini ppb, s osjetljivošću detekcije koja je bolja od TF1000 osnovnog jednoslojnog.

6. Sveučilišni granični istraživački projekti nanomaterijala ultra-visoke čistoće

Uzorci visoke čistoće posvećeni visokopreciznom laboratorijskom istraživanju i razvoju kao što je kiralno odvajanje poluvodiča s jednom stijenkom, napredni mehanizmi čipova na bazi ugljika, mehanizmi dugog ciklusa baterija čvrstog stanja i lagani kompozitni materijali za zrakoplovstvo.

P1: Koje su osnovne razlike u odabiru jezgri između TF1010 ultra-visoke čistoće s jednom stijenkom i TF1000 osnovne s jednom stijenkom i kako bi poluvodički čipovi trebali odabrati?

O: TF1000 jednoslojna čistoća je samo veća od ili jednaka 80%, pogodno za silicij-ugljične anode, obične fleksibilne vodljive filmove i konvencionalno laboratorijsko osnovno istraživanje i razvoj; TF1010 jednoslojna čistoća je veća od ili jednaka 98,5%, s metalnim pepelom od samo 100 ppm, i izuzetno malo raznih cijevi i nečistoća amorfnog ugljika, posebno za poluvodičke integrirane sklopove, vojsku i zrakoplovstvo, biosensing ultra visoke preciznosti, vrhunske solid-state baterije i druge scenarije s nultom tolerancijom na nečistoće; za visoku stabilnost uređaja, nisko curenje i duge cikluse, mora se odabrati TF1010.

P2: Kojim se scenarijima prilagođavaju tri specifikacije pepela TF1010?

A: <100 ppm (military/semiconductor chip highest grade), <500 ppm (high-end solid-state batteries, medical sensors), <2000 ppm (high-end silicon-carbon anodes, commercial flexible screens), freely selectable according to downstream product impurity admission standards.

P3: TF1010 jednoslojna čistoća od 98,5%, koliko poboljšanja donosi omjeru uključivanja/isključivanja tranzistora?

O: Budući da TF1000 sadrži velike količine raznih cijevi s više stijenki, omjer uključivanja/isključivanja tranzistora je samo 10³–10⁴; TF1010 ima izuzetno malo nečistoća različitih faza, a nakon odvajanja, omjer uključivanja/isključivanja uređaja s poluvodičkom ugljičnom cijevi može doseći iznad 10⁷, ispunjavajući zahtjeve performansi naprednih procesnih čipova.

P4: Kada se TF1010 koristi u poluprovodničkim baterijama, koliko se može smanjiti samopražnjenje ćelija u usporedbi s TF1000?

O: Metalne katalitičke nečistoće TF1010 uvelike su smanjene, 30-dnevno prigušenje kapaciteta pri pohranjivanju čvrstih ćelija na sobnoj temperaturi smanjeno je za 40%, a vijek ciklusa poboljšan je za 35%, prilagođavajući se pilot masovnoj proizvodnji dugotrajnih solid-state baterija za proizvođače automobila.

P5: Je li prah TF1010 teško raspršiti i može li se prilagoditi kašama koje podržavaju poluvodičku litografiju?

O: Amino modificirani TF1010 prah visoke čistoće može se prilagoditi, prilagođavajući se disperziji organskog otapala niske nečistoće namijenjenoj litografiji, bez tragova taloženja metala koji kontaminiraju pločice; naša tvrtka može ponuditi rješenja disperzijskog procesa visoke čistoće s malim smicanjem.

P6: Za izvozne vojne i poluvodičke projekte, može li TF1010 izdati posebna izvješća o ispitivanju nečistoća metala visoke čistoće?

O: Svaka serija je opremljena neovisnim ICP-OES listom za ispitivanje pepela visoke čistoće, koji precizno označava preostali sadržaj različitih metala katalizatora. Potpuni skup RoHS, REACH i MSDS dokumenata je dovršen, zadovoljavajući revizije trećih strana za vojne i poluvodičke materijale za uvoz i izvoz.

P7: Koju propusnost može postići TF1010 u pripremi prozirnih vodljivih filmova? Postoje li problemi s maglicom?

O: Propustljivost filma veća ili jednaka 90%, zamagljenost<1%, far superior to TF1000 basic single-walled, with no film surface graying or uneven transmittance caused by miscellaneous tubes, adapting to mass production of high-end foldable display panels.

Popularni tagovi: tf1010 prah ugljikovih nanocijevi s jednom stijenkom, Kina tf1010 prah ugljikovih nanocijevi s jednom stijenkom proizvođači, dobavljači, tvornica, ugljikove nanocjevčice i fulerenes, kiralni cnt, magnetske ugljikove nanocjevčice, Jednostruki zidni nanocjevčica, jednodušne nanocjevčice od jednog zida, volframove nanocjevčice